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電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

電解除垢系統(tǒng)(HGEST)詳見(jiàn) http://www.002499.cn/product/list/20170106090733.html 

新千年的革命性發(fā)展，HGEST代表了在線除垢技術(shù)的新水平。HGEST通過(guò)電解原理來(lái)實(shí)現(xiàn)設(shè)備保護(hù)和除垢目的，主要用于賓館飯店、醫(yī)院、學(xué)校、大型公共場(chǎng)所的冷熱水

系統(tǒng)、工業(yè)冷卻循環(huán)水、中央空調(diào)系統(tǒng)冷卻循環(huán)水、飲用水等領(lǐng)域。

水在反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行處理，經(jīng)歷了電解的過(guò)程。在電解過(guò)程中，陰極發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生OH-離子，增加反應(yīng)室內(nèi)壁附近的pH值，加強(qiáng)反應(yīng)室壁附近的堿性環(huán)境。

鄰近反應(yīng)室壁的擴(kuò)散層，擾亂了水垢的化學(xué)平衡，形成碳酸鈣從水中析出，附著在內(nèi)壁上。

同時(shí)陰極的電流導(dǎo)致溶解的重金屬元素的離子形成沉淀，沉到反應(yīng)室底部。應(yīng)該提請(qǐng)注意的是HGEST不是電解軟水器。HGEST系統(tǒng)沉淀出來(lái)的碳酸鈣是那些在冷卻水管路

中易于沉積下來(lái)的部分。這些有害的沉積，會(huì)堵塞管道，產(chǎn)生水垢和增加腐蝕，降低熱交換效率，阻礙生產(chǎn)。EST系統(tǒng)能夠把進(jìn)入反應(yīng)室水中的鈣永久的沉淀去除30%以

上。這個(gè)百分比也會(huì)隨著水中的組成而變化。

在反應(yīng)室內(nèi)壁附近發(fā)生的主要化學(xué)反應(yīng)有：

2H2O (l) + 2e- → H2 (氣) + 2OH- (aq)

堿性溶液中發(fā)生的反應(yīng)（陰極附近）

CO2(aq)+ OH-(aq) → HCO3- (aq)

HCO3- (aq) + OH- (aq) → CO32-(aq) + H20(液)

Ca2+(aq) 鈣離子可能形成

氫氧化鈣: Ca(OH)2(垢)

碳酸鈣: CaCO3(垢) 

電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

陽(yáng)極附

電解除垢系統(tǒng)(EST)

新千年的革命性發(fā)展，HGEST代表了在線除垢技術(shù)的最新水平。EST通過(guò)電解原理來(lái)實(shí)現(xiàn)設(shè)備保護(hù)和除垢目的，主要用于賓館飯店、醫(yī)院、學(xué)校、大型公共場(chǎng)所的冷熱水

系統(tǒng)、工業(yè)冷卻循環(huán)水、中央空調(diào)系統(tǒng)冷卻循環(huán)水、飲用水等領(lǐng)域。

水在反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行處理，經(jīng)歷了電解的過(guò)程。在電解過(guò)程中，陰極發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生OH-離子，增加反應(yīng)室內(nèi)壁附近的pH值，加強(qiáng)反應(yīng)室壁附近的堿性環(huán)境。

鄰近反應(yīng)室壁的擴(kuò)散層，擾亂了水垢的化學(xué)平衡，形成碳酸鈣從水中析出，附著在內(nèi)壁上。

同時(shí)陰極的電流導(dǎo)致溶解的重金屬元素的離子形成沉淀，沉到反應(yīng)室底部。應(yīng)該提請(qǐng)注意的是HGEST不是電解軟水器。HGEST系統(tǒng)沉淀出來(lái)的碳酸鈣是那些在冷卻水管路

中易于沉積下來(lái)的部分。這些有害的沉積，會(huì)堵塞管道，產(chǎn)生水垢和增加腐蝕，降低熱交換效率，阻礙生產(chǎn)。EST系統(tǒng)能夠把進(jìn)入反應(yīng)室水中的鈣永久的沉淀去除30%以

上。這個(gè)百分比也會(huì)隨著水中的組成而變化。

在反應(yīng)室內(nèi)壁附近發(fā)生的主要化學(xué)反應(yīng)有：  詳見(jiàn) http://www.002499.cn/product/list/20170106090733.html 

2H2O (l) + 2e- → H2 (氣) + 2OH- (aq)

堿性溶液中發(fā)生的反應(yīng)（陰極附近）

CO2(aq)+ OH-(aq) → HCO3- (aq)

HCO3- (aq) + OH- (aq) → CO32-(aq) + H20(液)

Ca2+(aq) 鈣離子可能形成

氫氧化鈣: Ca(OH)2(垢)

碳酸鈣: CaCO3(垢) 

陽(yáng)極附近發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)有：

生成氧氣

4HO- → O2(g) + 2H20 + 4e-

游離氯

Cl- – e- → Cl0

氯氣

2Cl-(aq) → Cl2(g) + 2e-

臭氧

O2 + 2HO- – 2e- → O3(g) + H2O

自由基

OH- – e- → OH0

過(guò)氧化氫

2H2O – 2 e- → H2O2 + 2H+

氧自由基

2H2O – 2e- → O0 + 2 H+

反應(yīng)室

電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

特殊長(zhǎng)壽命鈦基電極，專(zhuān)門(mén)為大電流而設(shè)計(jì)，表面涂覆氧化鎳涂層（TiNiO），該電極是杭州桂冠環(huán)保科技有限公司專(zhuān)門(mén)為HGEST系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。

微電腦控制的全自動(dòng)活塞，用于自動(dòng)清理反應(yīng)室中形成的水垢。

①      反應(yīng)室（陰極）②      陽(yáng)極③      馬達(dá)④      進(jìn)水口⑤      排污口⑥      刮刀⑦      出水口⑧      供電和控制單元

⑨      刮刀導(dǎo)桿供電和控制單元包括

一個(gè)用于停止系統(tǒng)動(dòng)作的重置按鈕。電導(dǎo)率測(cè)試電路，用于根據(jù)所處理的水的電導(dǎo)率來(lái)調(diào)整工作電流。

根據(jù)不同的處理程序提供相應(yīng)的可選擇功能。

監(jiān)測(cè)EST系統(tǒng)的工作狀態(tài)，配電柜面板上有四個(gè)數(shù)據(jù)顯示，電導(dǎo)率，電解電流pH

除垢和自清洗過(guò)程必要的時(shí)候，微電腦給出命令，驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，這個(gè)刮刀與反應(yīng)室的內(nèi)部尺寸正好吻合。進(jìn)水閥門(mén)自動(dòng)關(guān)閉，馬達(dá)緩慢旋轉(zhuǎn)，將反應(yīng)室內(nèi)壁上的軟性的水

垢清掃和刮洗到反應(yīng)室的底部，接著出水閥門(mén)自動(dòng)打開(kāi)，通過(guò)一臺(tái)大功率的泵將積累起來(lái)的水垢抽出反應(yīng)室。最后進(jìn)水閥門(mén)打開(kāi)，新鮮的水進(jìn)入反應(yīng)室。這個(gè)過(guò)程周期

性進(jìn)行，由EST微電腦控制。

HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)的兩個(gè)應(yīng)用

HGEST系統(tǒng)和冷卻塔的組合方式有兩種：

在冷卻塔中，HGEST系統(tǒng)能在兩種情形中組合。

A 補(bǔ)給水處理；

B 冷卻循環(huán)水旁流處理。

選擇A 時(shí)，HGEST系統(tǒng)安裝在補(bǔ)給水管路上，只處理補(bǔ)給水。HGEST系統(tǒng)的大小由此流量確定。

選擇B 時(shí)，所有的冷卻水都被處理。在冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和EST系統(tǒng)之間須要安裝一臺(tái)循環(huán)泵，所有的冷卻水都被處理，包括補(bǔ)充水。這是根據(jù)客戶需要的解決方案，因

為隨著濃縮倍率的增加，水的硬度也會(huì)增加。在這種情況下，EST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。

注意：泵是可選項(xiàng)。

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)有下面五種流量，大流量設(shè)計(jì)請(qǐng)洽代理商。詳見(jiàn) http://www.002499.cn/product/list/20170106090733.html 

HGEST 5，流量5 m3/hr；HGEST 5表示5m3/h；

HGEST 10，流量10 m3/hr；

HGEST 15，流量15 m3/hr；

HGEST 25，流量25 m3/hr。

工作壓力為6bar。

最大工作溫度50℃。正常使用情況下，EST系統(tǒng)保質(zhì)期12月。

根據(jù)多年的經(jīng)驗(yàn)和研究，在EST預(yù)結(jié)垢系統(tǒng)中，既能沉淀那些傾向沉淀的垢，但也能導(dǎo)致硅石沉淀。硅石沉積是因?yàn)樵谒信c其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀，沉淀其他多價(jià)

離子與其發(fā)生反應(yīng)。

硅石的溶解性取決于很多因素，例如：pH 值，溫度，水中微粒的大小，微粒的水合作用以及其它存在的離子。堅(jiān)硬硅石垢是在碳酸鈣或者其它礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)硅石

的晶格形成。只有通過(guò)絕對(duì)控制腐蝕和微生物才可能預(yù)防硅石沉淀。

杭州桂冠環(huán)保科技有限公司已經(jīng)研發(fā)了電解系統(tǒng)用來(lái)防止垢結(jié)晶以及硅石的沉淀。電解系統(tǒng)與EST系統(tǒng)串聯(lián)起來(lái)使用，輔助EST、更好的推動(dòng)以及更有效的在水系統(tǒng)中對(duì)

硅石沉淀和防止硅石結(jié)晶。+電解系統(tǒng)由不同材料通過(guò)不同部件以及健康部門(mén)允許的標(biāo)準(zhǔn)組成的陽(yáng)極所構(gòu)成，用來(lái)阻止硅石垢結(jié)晶。

累計(jì)水垢被泵送通過(guò)高功率泵離開(kāi)反應(yīng)室。 。最后，入口閥打開(kāi)，淡水進(jìn)入反應(yīng)室。該過(guò)程周期性地執(zhí)行并由HGEST微計(jì)算機(jī)控制。 HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)中的兩種

應(yīng)用 將HGEST系統(tǒng)和冷卻塔結(jié)合使用有兩種方法： 在冷卻塔中，HGEST系統(tǒng)可以在兩種情況下組合。 補(bǔ)水處理; B冷卻循環(huán)水旁路處理。 選擇A時(shí)，HGEST系統(tǒng)安裝在

供應(yīng)線上，僅供應(yīng)補(bǔ)給水。 HGEST系統(tǒng)的大小由該流程確定。 選擇B時(shí)，處理所有冷卻水。冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和HGEST系統(tǒng)之間需要循環(huán)泵，所有冷卻水都經(jīng)過(guò)處理，包

括補(bǔ)給水。這是一種基于客戶需求的解決方案，因?yàn)殡S著濃度比的增加，水的硬度增加。在這種情況下，HGEST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。 注意：泵是可選的。 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)

計(jì)有以下五種流程，請(qǐng)聯(lián)系代理商進(jìn)行大流量設(shè)計(jì)。 HGEST 5，流速5 m3/hr; HGEST 5表示5m3/h; HGEST 10，流量10 m3/hr; HGEST 15，流量15 m3/hr; HGEST 25，

流量25 m3/hr。 工作壓力為6巴。 最高工作溫度為50°C。在正常使用情況下，HGEST系統(tǒng)的保質(zhì)期為12個(gè)月。 根據(jù)多年的經(jīng)驗(yàn)和研究，在HGEST預(yù)定標(biāo)系統(tǒng)中，可以

沉淀那些傾向于沉淀的水垢，但也會(huì)導(dǎo)致二氧化硅沉淀。二氧化硅沉積物是由于水中其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀，并且其他多價(jià)離子的沉淀與它們反應(yīng)。二氧化硅的溶解

度取決于許多因素，例如pH，溫度，水中的粒度，顆粒的水合作用和存在的其他離子。硬質(zhì)二氧化硅垢是由碳酸鈣或其他礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)的二氧化硅的晶格形成。只

能通過(guò)絕對(duì)控制腐蝕和微生物來(lái)防止二氧化硅沉淀。 杭州桂冠環(huán)保科技有限公司開(kāi)發(fā)了一種電解系統(tǒng)，可防止結(jié)垢和二氧化硅沉淀。電解系統(tǒng)與HGEST系統(tǒng)串聯(lián)使用，

以幫助HGEST，更好地推進(jìn)和更有效地在水系統(tǒng)中沉淀二氧化硅并防止二氧化硅結(jié)晶。電解系統(tǒng)由不同材料的陽(yáng)極通過(guò)衛(wèi)生部門(mén)批準(zhǔn)的不同組分和標(biāo)準(zhǔn)組成，以防止二

氧化硅結(jié)垢。近發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)有：

生成氧氣

4HO- → O2(g) + 2H20 + 4e-

游離氯

Cl- – e- → Cl0

氯氣

2Cl-(aq) → Cl2(g) + 2e-

臭氧

O2 + 2HO- – 2e- → O3(g) + H2O

自由基

OH- – e- → OH0

過(guò)氧化氫

2H2O – 2 e- → H2O2 + 2H+

氧自由基

2H2O – 2e- → O0 + 2 H+

反應(yīng)室

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特殊長(zhǎng)壽命鈦基電極，專(zhuān)門(mén)為大電流而設(shè)計(jì)，表面涂覆氧化鎳涂層（TiNiO），該電極是杭州桂冠環(huán)保科技有限公司專(zhuān)門(mén)為EST系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。

微電腦控制的全自動(dòng)活塞，用于自動(dòng)清理反應(yīng)室中形成的水垢。

①      反應(yīng)室（陰極）②      陽(yáng)極③      汽缸④      進(jìn)水口⑤      排污口⑥      刮刀⑦      出水口⑧      供電和控制單元

⑨      刮刀導(dǎo)桿供電和控制單元包括

一個(gè)用于停止系統(tǒng)動(dòng)作的重置按鈕。電導(dǎo)率測(cè)試電路，用于根據(jù)所處理的水的電導(dǎo)率來(lái)調(diào)整工作電流。

根據(jù)不同的處理程序提供相應(yīng)的可選擇功能。

監(jiān)測(cè)EST系統(tǒng)的工作狀態(tài)，配電柜面板上有四個(gè)數(shù)據(jù)顯示，電導(dǎo)率，電解電流pH

除垢和自清洗過(guò)程必要的時(shí)候，微電腦給出命令，驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，這個(gè)刮刀與反應(yīng)室的內(nèi)部尺寸正好吻合。進(jìn)水閥門(mén)自動(dòng)關(guān)閉，馬達(dá)緩慢旋轉(zhuǎn)，將反應(yīng)室內(nèi)壁上的軟性的水

垢清掃和刮洗到反應(yīng)室的底部，接著出水閥門(mén)自動(dòng)打開(kāi)，通過(guò)一臺(tái)大功率的泵將積累起來(lái)的水垢抽出反應(yīng)室。最后進(jìn)水閥門(mén)打開(kāi)，新鮮的水進(jìn)入反應(yīng)室。這個(gè)過(guò)程周期

性進(jìn)行，由EST微電腦控制。

HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)的兩個(gè)應(yīng)用

HGEST系統(tǒng)和冷卻塔的組合方式有兩種：

在冷卻塔中，EST系統(tǒng)能在兩種情形中組合。

A 補(bǔ)給水處理；

B 冷卻循環(huán)水旁流處理。

選擇A 時(shí)，HGEST系統(tǒng)安裝在補(bǔ)給水管路上，只處理補(bǔ)給水。HGEST系統(tǒng)的大小由此流量確定。

選擇B 時(shí)，所有的冷卻水都被處理。在冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和EST系統(tǒng)之間須要安裝一臺(tái)循環(huán)泵，所有的冷卻水都被處理，包括補(bǔ)充水。這是根據(jù)客戶需要的解決方案，因

為隨著濃縮倍率的增加，水的硬度也會(huì)增加。在這種情況下，EST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。

注意：泵是可選項(xiàng)。

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)有下面五種流量，大流量設(shè)計(jì)請(qǐng)洽代理商。詳見(jiàn) http://www.002499.cn/product/list/20170106090733.html 

EST 5，流量5 m3/hr；EST 5表示5m3/h；

EST 10，流量10 m3/hr；

EST 15，流量15 m3/hr；

EST 25，流量25 m3/hr。

工作壓力為6bar。

最大工作溫度50℃。正常使用情況下，HGEST系統(tǒng)保質(zhì)期12月。電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

根據(jù)多年的經(jīng)驗(yàn)和研究，在EST預(yù)結(jié)垢系統(tǒng)中，既能沉淀那些傾向沉淀的垢，但也能導(dǎo)致硅石沉淀。硅石沉積是因?yàn)樵谒信c其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀，沉淀其他多價(jià)

離子與其發(fā)生反應(yīng)。

硅石的溶解性取決于很多因素，例如：pH 值，溫度，水中微粒的大小，微粒的水合作用以及其它存在的離子。堅(jiān)硬硅石垢是在碳酸鈣或者其它礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)硅石

的晶格形成。只有通過(guò)絕對(duì)控制腐蝕和微生物才可能預(yù)防硅石沉淀。

杭州桂冠環(huán)保科技有限公司已經(jīng)研發(fā)了電解系統(tǒng)用來(lái)防止垢結(jié)晶以及硅石的沉淀。電解系統(tǒng)與HGEST系統(tǒng)串聯(lián)起來(lái)使用，輔助EST、更好的推動(dòng)以及更有效的在水系統(tǒng)中

對(duì)硅石沉淀和防止硅石結(jié)晶。+電解系統(tǒng)由不同材料通過(guò)不同部件以及健康部門(mén)允許的標(biāo)準(zhǔn)組成的陽(yáng)極所構(gòu)成，用來(lái)阻止硅石垢結(jié)晶。

累計(jì)水垢被泵送通過(guò)高功率泵離開(kāi)反應(yīng)室。 。最后，入口閥打開(kāi)，淡水進(jìn)入反應(yīng)室。該過(guò)程周期性地執(zhí)行并由HGEST微計(jì)算機(jī)控制。 HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)中的兩種

應(yīng)用 將HGEST系統(tǒng)和冷卻塔結(jié)合使用有兩種方法： 在冷卻塔中，HGEST系統(tǒng)可以在兩種情況下組合。 補(bǔ)水處理; B冷卻循環(huán)水旁路處理。 選擇A時(shí)，HGEST系統(tǒng)安裝在

供應(yīng)線上，僅供應(yīng)補(bǔ)給水。 HGEST系統(tǒng)的大小由該流程確定。 選擇B時(shí)，處理所有冷卻水。冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和HGEST系統(tǒng)之間需要循環(huán)泵，所有冷卻水都經(jīng)過(guò)處理，包

括補(bǔ)給水。這是一種基于客戶需求的解決方案，因?yàn)殡S著濃度比的增加，水的硬度增加。在這種情況下，HGEST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。 注意：泵是可選的。 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)

計(jì)有以下五種流程，請(qǐng)聯(lián)系代理商進(jìn)行大流量設(shè)計(jì)。 HGEST 5，流速5 m3/hr; HGEST 5表示5m3/h; HGEST 10，流量10 m3/hr; HGEST 15，流量15 m3/hr; HGEST 25，

流量25 m3/hr。 工作壓力為6巴。 最高工作溫度為50°C。在正常使用情況下，HGEST系統(tǒng)的保質(zhì)期為12個(gè)月。 根據(jù)多年的經(jīng)驗(yàn)和研究，在HGEST預(yù)定標(biāo)系統(tǒng)中，可以

沉淀那些傾向于沉淀的水垢，但也會(huì)導(dǎo)致二氧化硅沉淀。二氧化硅沉積物是由于水中其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀，并且其他多價(jià)離子的沉淀與它們反應(yīng)。二氧化硅的溶解

度取決于許多因素，例如pH，溫度，水中的粒度，顆粒的水合作用和存在的其他離子。硬質(zhì)二氧化硅垢是由碳酸鈣或其他礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)的二氧化硅的晶格形成。只

能通過(guò)絕對(duì)控制腐蝕和微生物來(lái)防止二氧化硅沉淀。 杭州桂冠環(huán)保科技有限公司開(kāi)發(fā)了一種電解系統(tǒng)，可防止結(jié)垢和二氧化硅沉淀。電解系統(tǒng)與HGEST系統(tǒng)串聯(lián)使用，

以幫助HGEST，更好地推進(jìn)和更有效地在水系統(tǒng)中沉淀二氧化硅并防止二氧化硅結(jié)晶。電解系統(tǒng)由不同材料的陽(yáng)極通過(guò)衛(wèi)生部門(mén)批準(zhǔn)的不同組分和標(biāo)準(zhǔn)組成，以防止二

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